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J-GLOBAL ID：200902239665274041   Reference number：06A0354707

Low-voltage pentacene field-effect transistors with ultrathin polymer gate dielectrics

超薄高分子ゲート誘電体を有する低電圧ペンタセン電界効果トランジス

Author (5)： YANG Sang Yoon (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  KIM Se Hyun (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  SHIN Kwonwoo (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  JEON Hayoung (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR) ,  PARK Chan Eon (Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 88  Issue： 17  Page： 173507-173507-3  Publication year： Apr. 24, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...

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JST classification (2)： Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： Pentacene

Terms in the title (5)： 高分子 ,  ゲート誘電体 ,  低電圧 ,  ペンタセン ,  電界効果