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J-GLOBAL ID：200902240197313806   Reference number：03A0459594

Laser threshold reduction in a spintronic device

スピントロニックデバイスにおけるレーザしきい値の減少

Author (5)： RUDOLPH J (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  HAEGELE D (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  GIBBS H M (Univ. Arizona, Arizona) ,  KHITROVA G (Univ. Arizona, Arizona) ,  OESTREICH M (Univ. Hannover, Hannover, DEU)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 82  Issue： 25  Page： 4516-4518  Publication year： Jun. 23, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： femtosecond ,...
Semi thesaurus term： *VCSEL ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (2)： レーザ ,  しきい値