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J-GLOBAL ID：200902240208630868   Reference number：08A1221651

イオン注入装置

Author (1)： FUSE GENSHU (SEN-SHIアクセリスカンパニー)
Material： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
Issue： 12月号別冊  Page： 103-109  Publication year： Nov. 25, 2008 
JST Material Number： F0040A  ISSN： 0387-0774  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *equipment ,  *testing device ,  semiconductor process ,  production process(control) ,  *ion implantation ,  gate(semiconductor) ,  variance ,  dose ,  type
Semi thesaurus term： *semiconductor manufacturing equipment ,  ゲートドーピング ,  variance ,  dose ,  sheetfed type

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Applications of electron beams and ion beams  (BD02070X)

Terms in the title (1)： イオン注入装置