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J-GLOBAL ID：200902240988941070   Reference number：05A0605990

Impact of H₂-Preannealing of the Sapphire Substrate on the Crystallinity of Low-Temperature-Deposited AlN Buffer Layer

低温蒸着したAlN緩衝層の結晶性に対するサファイア基板のH₂雰囲気中における予備アニーリングの効果

Author (7)： TSUDA Michinobu (Kyocera Corp., Shiga, JPN) ,  TSUDA Michinobu (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  BALAKRISHNAN Krishnan (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  IWAYA Motoaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA Satoshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI Isamu (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 6A  Page： 3913-3917  Publication year： Jun. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *sapphire ,...
Semi thesaurus term： organic metal chemistry gaseous phase growth method

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (16)：

• 1) I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koide and H. Amano: Electron. Lett. 32 (1996) 1105.
• 2) S. Nakamura and G. Fosal: The Blue Laser Diodes (Springer, Berlin, 1997).
• 3) M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 1431.
• 4) T. Nishida, T. Ban and N. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 2273.
• 5) M. Iwaya, S. Takanami, A. Miyazaki, T. Kawashima, K. Iida, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki: Phys. Status Solidi A 200 (2003) 110.

Terms in the title (9)： 低温 ,  蒸着 ,  AlN ,  緩衝層 ,  結晶性 ,  サファイア基板 ,  H2 ,  雰囲気 ,  アニーリング