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J-GLOBAL ID：200902241601184566   Reference number：06A0516016

Control of subband energy levels of quantum dots using InGaAs gradient composition strain-reducing layer

InGaAs勾配組成歪軽減層を用いた量子ドットのサブバンドエネルギー準位の制御

Author (4)： AMANO T. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan and ...) ,  YAMAUCHI S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan and ...) ,  SUGAYA T. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan and ...) ,  KOMORI K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan and ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 88  Issue： 26  Page： 261110-261110-3  Publication year： Jun. 26, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： 勾配組成

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JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (7)： InGaAs ,  勾配 ,  組成 ,  歪 ,  量子ドット ,  サブバンド ,  エネルギー準位