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J-GLOBAL ID：200902242673062305   Reference number：03A0762864

Dry etching characteristics of TiN film using Ar/CHF₃, Ar/Cl₂, and Ar/BCl₃ gas chemistries in an inductively coupled plasma

誘導結合プラズマ中のAr/CHF₃,Ar/Cl₂,及びAr/BCl₃ガス化学を用いたTiN膜のドライエッチング特性

Author (6)： TONOTANI J (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  IWAMOTO T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SATO F (Toshiba Corp., Oita, JPN) ,  HATTORI K (Toshiba Corp., Oita, JPN) ,  OHMI S (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IWAI H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 21  Issue： 5  Page： 2163-2168  Publication year： Sep. 2003 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RIE ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Applications of plasma  (BJ02110K)

Substance index (1)： Trifluoromethane

Terms in the title (6)： 誘導結合プラズマ ,  Ar ,  BCl3 ,  ガス化 ,  TiN膜 ,  エッチング特性