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J-GLOBAL ID：200902243224463148   Reference number：04A0190047

Impurity levels of high quality p-doped ZnTe single crystal

高品質PドープZnTe単結晶の不純物準位

Author (6)： YOSHINO K (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  YONETA M (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  ARAKAWA A (Nikko Materials Co. Ltd., Saitama, JPN) ,  OHMORI K (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  SAITO H (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  OHISIHI M (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN)
Material： Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002  (Physica Status Solidi)
Page： 631-634  Publication year： 2003 
JST Material Number： K20030106  ISSN： 1610-1634  ISBN： 3-527-40435-X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (5)： 高品質 ,  ドープ ,  ZnTe ,  単結晶 ,  不純物準位