Art

J-GLOBAL ID：200902243239594117   Reference number：08A0914572

Germanium-induced stabilization of a very high-k zirconia phase in ZrO₂/GeO₂ gate stacks

ZrO₂/GeO₂ゲートスタックの非常に高κのジルコニア相でにおけるゲルマニウム誘起安定化

Author (10)： TSIPAS P. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  VOLKOS S. N. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  SOTIROPOULOS A. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  GALATA S. F. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  MAVROU G. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  TSOUTSOU D. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  PANAYIOTATOS Y. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  DIMOULAS A. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  MARCHIORI C. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Saeumerstrasse 4, 8803-Rueschlikon, CHE) ,  FOMPEYRINE J. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Saeumerstrasse 4, 8803-Rueschlikon, CHE)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 93  Issue： 8  Page： 082904  Publication year： Aug. 25, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,  gate (semiconductor) ,  *insulating material ,  *zirconium oxide ,  *dielectric thin film ,  substrate (plate) ,  Germanium ,  passivation ,  overlayer ,  germanium oxide ,  film thickness ,  permittivity ,  tetragonal system ,  thermal decomposition ,  Thermal Diffusion ,  stabilization ,  MOS structure ,  *insulator ,  modification
Semi thesaurus term： パッシベーション層 ,  酸化物換算厚み

JST classification (2)： Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (8)： ZrO2 ,  GeO2 ,  ゲートスタック ,  高 ,  ジルコニア ,  ゲルマニウム ,  誘起 ,  安定化