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J-GLOBAL ID：200902243690859477   Reference number：03A0509461

Physical and electrical characterization of HfO₂ metal-insulator-metal capacitors for Si analog circuit applications

Siアナログ回路応用のためのHfO₂金属-絶縁体-金属キャパシタの物理的および電気的特性評価

Author (9)： HU H (National Univ. Singapore, SGP) ,  ZHU C (National Univ. Singapore, SGP) ,  LU Y F (National Univ. Singapore, SGP) ,  WU Y H (National Univ. Singapore, SGP) ,  LIEW T (National Univ. Singapore, SGP) ,  LI M F (National Univ. Singapore, SGP) ,  CHO B J (National Univ. Singapore, SGP) ,  CHOI W K (National Univ. Singapore, SGP) ,  YAKOVLEV N (National Univ. Singapore, SGP)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 94  Issue： 1  Page： 551-557  Publication year： Jul. 01, 2003 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hafnium oxide ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (3)： Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (9)： Si ,  アナログ回路 ,  応用 ,  HfO2 ,  絶縁体 ,  キャパシタ ,  物理 ,  電気的特性 ,  評価