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J-GLOBAL ID：200902243748681800   Reference number：04A0831890

A 90-nm Logic Technology Featuring Strained-Silicon

歪みシリコンを特色とする90nmロジック技術

Author (9)： THOMPSON S E (Intel Corp., OR, USA) ,  ARMSTRONG M (Intel Corp., OR, USA) ,  AUTH C (Intel Corp., OR, USA) ,  ALAVI M (Intel Corp., OR, USA) ,  BUEHLER M (Intel Corp., OR, USA) ,  CHAU R (Intel Corp., OR, USA) ,  CEA S (Intel Corp., OR, USA) ,  GHANI T (Intel Corp., OR, USA) ,  GLASS G (Intel Corp., OR, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 51  Issue： 11  Page： 1790-1797  Publication year： Nov. 2004 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： valence band

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： 歪みシリコン ,  ロジック