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J-GLOBAL ID：200902243814753559   Reference number：05A0154223

Sub 30nm Multi-Bridge-Channel MOSFET (MBCFET) with Metal Gate Electrode for Ultra High Performance Application

超高性能用途のための金属ゲート電極を持つサブ30nm,マルチブリッジチャネルMOSFET(MBCFET)

Author (9)： YOON E-J (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  LEE S-Y (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  KIM S-M (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  KIM M-S (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  KIM S H (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  MING L (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  SUK S (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  YEO K (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  OH C W (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2004  Page： 627-630  Publication year： 2004 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： FinFET ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 高性能 ,  用途 ,  ゲート電極 ,  サブ ,  MOSFET