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J-GLOBAL ID：200902244831898150   Reference number：08A0007453

6th IGBT-PIM with New Chip and Package Technologies

第6世代IGBTモジュール「VシリーズPIM」

Author (3)： NAKANO HAYATO (富士電機デバイステクノロジー) ,  ONOZAWA YUICHI (富士電機デバイステクノロジー) ,  IKAWA OSAMU (富士電機デバイステクノロジー)
Material： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
Volume： 80  Issue： 6  Page： 388-392  Publication year： Nov. 10, 2007 
JST Material Number： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： Global Warming ,...
Semi thesaurus term： thermal radiation ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (3)：

• Laska, T. et al. The Field Stop IGBT (FS IGBT) -A New Power Device Concept with a grate improvement Potential. Proc. ISPSD 2000. p. 355-358.
• Nemoto, M. et al. An Advanced FWD Design Concept with Superior Soft Reverse Recovery Characteristics. Proc. ISPSD 2000. p. 119-122.
• Otsuki, M. et al. Investigation on the short circuit capability of 1, 200 V trench gate field-stop IGBTs. Proc. ISPSD 2002. p. 281-284.

Terms in the title (4)： 世代 ,  IGBT ,  モジュール ,  PIM