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J-GLOBAL ID：200902244939443280   Reference number：08A0449055

Gate-Variable Optical Transitions in Graphene

グラフェンにおけるゲート可変光学遷移

Author (11)： WANG Feng (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  ZHANG Yuanbo (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  TIAN Chuanshan (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  GIRIT Caglar (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  GIRIT Caglar (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  ZETTL Alex (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  ZETTL Alex (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  CROMMIE Michael (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  CROMMIE Michael (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  SHEN Y. Ron (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  SHEN Y. Ron (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
Material： Science
Volume： 320  Issue： 5873  Page： 206-209  Publication year： Apr. 11, 2008 
JST Material Number： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Graphite ,  *infrared spectroscopy ,  *electronic transition ,  *gate (semiconductor) ,  band gap ,  electrical conductivity ,  *variability ,  state density ,  Fermi level ,  *semiconductor ,  graphene ,  optical transition

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (4)： グラフェン ,  ゲート ,  可変 ,  光学遷移