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J-GLOBAL ID：200902245205473208   Reference number：03A0624311

PbTe/CdTe single quantum wells grown on GaAs (1 0 0) substrates by molecular beam epitaxy

分子ビームエピタクシーでGaAs(100)基板上に成長させたPbTe/CdTe単一量子井戸

Author (5)： KOIKE K (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  HONDEN T (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  MAKABE I (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YAN F P (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YANO M (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 257  Issue： 1/2  Page： 212-217  Publication year： Sep. 2003 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタクシー ,  GaAs ,  成長 ,  PbTe ,  CdTe ,  単一量子井戸