Art

J-GLOBAL ID：200902246687122713   Reference number：08A0733616

Novel NiGe MSM Photodetector Featuring Asymmetrical Schottky Barriers Using Sulfur Co-Implantation and Segregation

硫黄共注入と偏析を用いた非対称形ショットキー障壁を特徴とする新規のNiGe MSM光検出器

Author (6)： ANG Kah-Wee (A*STAR, Singapore) ,  YU Ming-Bin (A*STAR, Singapore) ,  ZHU Shi-Yang (A*STAR, Singapore) ,  CHUA Khai-Tze (A*STAR, Singapore) ,  LO Guo-Qiang (A*STAR, Singapore) ,  KWONG Dim-Lee (A*STAR, Singapore)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 29  Issue： 7  Page： 708-710  Publication year： Jul. 2008 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MSM structure ,  *photodetector ,  Germanium ,  SOI structure ,  *Schottky barrier ,  *nickel compound ,  *germanium compound ,  segregation (concentration distribution) ,  Fermi level ,  positive hole ,  conduction band ,  dark current ,  quantum efficiency ,  frequency response ,  bandwidth

JST classification (1)： Other optical transmission devices  (BD06040S)

Terms in the title (7)： 硫黄 ,  共注入 ,  偏析 ,  非対称形 ,  ショットキー障壁 ,  MSM ,  光検出器