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J-GLOBAL ID：200902247349824296   Reference number：09A1082485

PLD法による硫黄ドープチタン酸化物薄膜の合成と評価(その1)

Author (5)： MURAMATSU ATSUSHI (東北大 多元物質科研) ,  SATO NOBUAKI (東北大 多元物質科研) ,  KANIE KIYOSHI (東北大 多元物質科研) ,  TAKAHASHI HIDESHI (東北大 多元物質科研) ,  YOSHINAGA KATSUMI (三井化学)
Material： 硫酸と工業  (Sulphuric Acid and Industry)
Volume： 62  Issue： 10  Page： 147-154  Publication year： Oct. 15, 2009 
JST Material Number： F0507A  ISSN： 0370-8047  CODEN： RYUSAZ  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *laser deposition ,  pulsed laser irradiation ,  selected-area electron diffraction ,  *Sulfur ,  doping ,  *titanium oxide ,  semiconductor thin film ,  *compound semiconductor ,  improvement of efficiency ,  photocatalyst ,  chemical synthesis ,  *performance evaluation ,  optical gap ,  catalyst preparation ,  photocatalytic reaction ,  transmission electron microscope ,  electron microscopy ,  structure analysis ,  atomic force microscope ,  *pulsed laser deposition ,  X-ray reflectivity ,  local structure ,  *oxide semiconductor ,  modification
Semi thesaurus term： *PLD method ,  optical band gap ,  high efficiency ,  selected area electron diffraction

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (33)：

• M. Ziolock, J. Kujawa, O. Saur, J. C. LavaIley: J. Mol Cat., A: Chem., 97, 49(1995).
• T. Ohno, F. Tanigawa, K. Fujihara, S. Izumi, and M. Matsumura, J. Photochem. Photobiol, A: 127, 107(1999).
• R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohwaki, K. Aoki, Y. Taga: Science, 293, 269(2001).
• T. Ohno, Y. Masaki, S. Hirayama, and M. Matsumura, J. Catal., 204, 163(2001).
• T. Umebayashi T.Yamaki, S.Tanaka, and K. Asai, Chem. Lett., 32, 330(2003).

Terms in the title (6)： PLD法 ,  硫黄 ,  ドープ ,  チタン ,  酸化物薄膜 ,  評価