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J-GLOBAL ID：200902247490916129   Reference number：04A0359159

Structure of 6H silicon carbide/silicon dioxide interface trapping defects

6H炭化けい素/二酸化けい素の界面における捕獲欠陥の構造

Author (4)： MEYER D J (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania) ,  BOHNA N A (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania) ,  LENAHAN P M (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania) ,  LELIS A J (U.S. Army Res. Lab., Maryland)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 84  Issue： 17  Page： 3406-3408  Publication year： Apr. 26, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： 炭化けい素 ,  二酸化けい素 ,  界面 ,  捕獲 ,  欠陥