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J-GLOBAL ID：200902247929388841   Reference number：06A0921561

Low-temperature formation (<500 °C) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain

NiGeのSchottky型ソース/ドレインを備えた多結晶-Geを基本とする薄膜トランジスタの低温(<500°C)形成

Author (4)： SADOH T. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  KAMIZURU H. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  KENJO A. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MIYAO M. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 89  Issue： 19  Page： 192114-192114-3  Publication year： Nov. 06, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nickel base alloy ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： ソース ,  ドレイン ,  多結晶 ,  Ge ,  薄膜トランジスタ ,  低温