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J-GLOBAL ID：200902249498507000   Reference number：04A0685303

Application of Aluminum Nitride Ceramics for Semiconductor Fabrication Apparatus

広がりを見せる窒化アルミニウム(AlN)AlNの半導体製造装置用部材への適用

Author (1)： KAWASAKI KEIJI (日本碍子)
Material： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
Volume： 39  Issue： 9  Page： 688-691  Publication year： Sep. 01, 2004 
JST Material Number： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...

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JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Properties of ceramics and ceramic whiteware  (YC03030G)

Reference (5)：

• 前田和夫. はじめての半導体プロセス. 2000
• SHIMURA, S. Ceramic Transactions. 1999, 102, 341-349
• 水谷尚美. FCレポート. 2000, 18, 7, 152-156
• 勝田裕司. 高温セラミック材料第124委員会第100回会議記念講演会資料, 1999. 1999, 69-72
• 川崎啓治. セラミックデータブック. 2001, 29, 237-238

Terms in the title (4)： 広がり ,  窒化アルミニウム ,  AlN ,  半導体製造装置