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J-GLOBAL ID：200902250001229760   Reference number：08A0681185

The shape of InAsP quantum dots grown by droplet hetero-epitaxy-Growth temperature and As/P supply time dependence-

液滴エピタキシー法により作製したInAsP量子ドットの形状-成長温度とAs/P供給時間依存性-

Author (5)： KAWAMURA SHIN'ICHI (名古屋大 大学院) ,  RYU Ha (名古屋大 大学院) ,  FUCHI SHINGO (名古屋大 大学院) ,  UJIHARA TOORU (名古屋大 大学院) ,  TAKEDA YOSHIKAZU (名古屋大 大学院)
Material： 結晶成長国内会議予稿集  (結晶成長国内会議)
Volume： 37th  Page： 134  Publication year： 2007 
JST Material Number： L6730A  ISSN： 0385-6275  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *droplet ,  *heteroepitaxy ,  *indium compound ,  arsenide ,  phosphide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  gallium arsenide ,  heterojunction ,  *interposition ,  *quantum dot ,  morphology(form) ,  *photoluminescence ,  infrared emission spectrum ,  near infrared radiation
Semi thesaurus term： *indium arsenide phosphide

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： 液滴エピタキシー ,  作製 ,  InAsP ,  量子ドット ,  成長温度 ,  時間依存性