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J-GLOBAL ID：200902250160936914   Reference number：07A0567945

Hydrogenation Effects on Chemical Activity of Defects in Excimer-Laser-Annealed Polycrystalline Silicon Thin Films

エキシマレーザー焼鈍された多結晶シリコン薄膜における欠陥の化学活性に対する水素添加効果

Author (3)： KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  OHASHI Yasutaka (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  MATSUMOTO Shin (Shimane Univ., Matsue, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 46  Issue： 17-19  Page： L448-L450  Publication year： May. 25, 2007 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： excimer laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (9)： エキシマレーザー ,  焼鈍 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  欠陥 ,  化学 ,  活性 ,  水素 ,  添加効果