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J-GLOBAL ID：200902251759667500   Reference number：08A0934093

S帯,1kW高効率AlGaN/GaN HEMTパレットアンプ

Author (3)： AOJIMA MAKOTO (ユーディナデバイス) ,  MITANI EIZO (ユーディナデバイス) ,  SANO SEIGO (ユーディナデバイス)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 108  Issue： 195(MW2008 79-102)  Page： 119-122  Publication year： Aug. 21, 2008 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *HEMT ,  *microwave ,  *power amplifier ,  semiconductor material ,  gallium nitride ,  thermal analysis ,  *heat resistance
Semi thesaurus term： パレットアンプ ,  S帯 ,  AlGaN

JST classification (1)： Amplification circuits  (NC05040U)

Reference (3)：

• MAEKAWA, A. A 500W Push-Pull AlGaN/GaN HEMT Amplifier for L-band High Power Application. 2006 IEEE MTT-S Digest, June. 2006, 722-725
• MITANI, E. An 800W AlGaN/GaN HEMT for S-band High-Power Application. 2007 CS MANTECH Technical Digest, May. 2007, 213-216
• NIKAIDO, J. A Highly Uniform and reliable AlGaN/GaN HEMT. 2005 CS MANTECH Technical Digest, April. 2005, 151-154

Terms in the title (7)： S帯 ,  高効率 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  パレット ,  アンプ