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J-GLOBAL ID：200902251861439415   Reference number：06A0156915

ZnSe interlayer effects on properties of (CdS/ZnSe)/BeTe superlattices grown by molecular beam epitaxy

分子ビームエピタクシーによって成長させた(CdS/ZnSe)/BeTe超格子の特性に対するZnSe界面層効果

Author (4)： LI B. S. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...) ,  AKIMOTO R. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...) ,  AKITA K. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...) ,  HASAMA T. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 99  Issue： 4  Page： 044912-044912-8  Publication year： Feb. 15, 2006 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,...
Semi thesaurus term： サブバンド間遷移 ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  CdS ,  ZnSe ,  超格子 ,  界面層