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J-GLOBAL ID：200902252361744781   Reference number：04A0709728

Fabrication of nanostructured palladium-doped SiO₂ films with variable temperature coefficient of resistivity

異なった抵抗率温度係数を持つナノ構造パラジウムドープSiO₂膜の作製

Author (5)： ICHINOHE T (Tokyo National Coll. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MASAKI S (Tokyo National Coll. of Technol., Tokyo, JPN) ,  UCHIDA K (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  NOZAKI S (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  MORISAKI H (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 466  Issue： 1/2  Page： 27-33  Publication year： Nov. 01, 2004 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *palladium ,...

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JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electronic conduction in nonmetallic compounds  (BM03034D) ,  Metal-insulator transitions  (BM02110T)

Terms in the title (7)： 抵抗率 ,  温度係数 ,  ナノ構造 ,  パラジウム ,  ドープ ,  SiO2 ,  作製