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J-GLOBAL ID：200902252620672999   Reference number：05A0054465

Impact of 7.5-MeV Proton Irradiation on Front-Back Gate Coupling Effect in Ultra Thin Gate Oxide FD-SOI n-MOSFETs

超薄型ゲート酸化膜完全空乏型(FD)SOI n型MOSFETのフロント-バックゲート結合効果に及ぼす7.5MeV陽子照射の影響

Author (8)： HAYAMA K (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  TAKAKURA K (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  OHYAMA H (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  RAFI J M (Inst. Microelectronica de Barcelona (CNM-CSIC), Bellaterra, ESP) ,  MERCHA A (Inter-Univ. Micro-Electronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  SIMOEN E (Inst. Microelectronica de Barcelona (CNM-CSIC), Bellaterra, ESP) ,  CLAEYS C (Katholieke Univ. (KU) Leuven, Leuven, BEL) ,  KOKKORIS M (Inst. Nuclear Physics, Athens, GRC)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 51  Issue： 6,Pt.2  Page： 3795-3800  Publication year： Dec. 2004 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： ゲート結合効果 ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (7)： 超薄型 ,  ゲート酸化膜 ,  SOI ,  MOSFET ,  フロント ,  バックゲート ,  陽子照射