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J-GLOBAL ID：200902252788627565   Reference number：09A0458634

Electrorefractive Effect in GaInNAs/GaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well

5層のGaInNAs/GaAsから成る非対称に結合した量子井戸における電気反射効果

Author (5)： FUKUOKA Masayasu (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TOYA Takahiro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SAWAI Yutaka (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  ARAKAWA Taro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TADA Kunio (Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 4,Issue 2  Page： 04C154.1-04C154.3  Publication year： Apr. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  gallium arsenide ,  arsenide ,  nitride ,  *indium compound ,  *gallium compound ,  *valence band ,  quantum confinement ,  *Stark effect ,  *optical modulation ,  optical switching
Semi thesaurus term： ひ化窒化インジウムガリウム ,  optical switching

JST classification (1)： Other optical transmission devices  (BD06040S)

Reference (15)：

• H. Yamazaki, T. Yamada, K. Suzuki, T. Goh, A. Kaneko, A. Sano, E. Yamada, and Y. Miyamoto: Abstr. European Conf. Optical Communication (ECOC) 2008, Mo.3. C.1.
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• S. Shimotsu, S. Oikawa, T. Saitou, N. Mitsugi, K. Kubodera, T. Kawanishi, and M. Izutsu: IEEE Photonics Technol. Lett.13(2001)364.
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• H. Feng, J. P. Pang, M. Sugiyama, K. Tada, and Y. Nakano: IEEE J. Quantum Electron.34(1998)1197.

Terms in the title (4)： GaInNAs ,  GaAs ,  非対称 ,  量子井戸