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J-GLOBAL ID：200902252815734409   Reference number：04A0568137

Enhanced photoluminescence of InAs self-assembled quantum dots grown by molecular-beam epitaxy using a “nucleation-augmented” method

“核生成増強”法を用いた分子線エピタキシーにより成長させたInAs自己形成量子ドットの増強された光ルミネセンス

Author (4)： CHIA C K (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore) ,  CHUA S J (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore) ,  MIAO Z L (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore) ,  CHYE Y H (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 85  Issue： 4  Page： 567-569  Publication year： Jul. 26, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (9)： 核生成 ,  増強 ,  法 ,  分子線エピタキシー ,  成長 ,  InAs ,  自己形成 ,  量子ドット ,  光ルミネセンス