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J-GLOBAL ID：200902253042198258   Reference number：03A0606413

Characterization of Minute Strain Field in Si Crystals by X-Ray Topography with a Glancing Angle Near the Critical Angle

全反射臨界角近傍でのX線回折法によるシリコン結晶中の微小格子歪の観察・評価

Author (2)： SAKAMOTO MASAYUKI (宮崎大 大学院) ,  FUKUMORI TAICHIRO (宮崎大 工)
Material： Memoirs of the Faculty of Engineering, Miyazaki University  (宮崎大学工学部紀要)
Issue： 32  Page： 31-38  Publication year： Jul. 18, 2003 
JST Material Number： G0471A  ISSN： 0540-4924  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (8)： 臨界角 ,  近傍 ,  X線回折法 ,  シリコン結晶 ,  微小 ,  格子歪 ,  観察 ,  評価