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J-GLOBAL ID：200902253849805190   Reference number：07A0410141

Ambipolar Field-Effect Transistors Based on Poly(3-hexylthiophene)/Fullerene Derivative Bilayer Films

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)/フラーレン誘導体の2層膜をもとにした両極性電界効果トランジスタ

Author (5)： KANETO Keiichi (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  YANO Makoto (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  SHIBAO Miho (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MORITA Takeomi (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TAKASHIMA Wataru (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 46  Issue： 4A  Page： 1736-1738  Publication year： Apr. 15, 2007 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Substance index (1)： 3-Hexylthiophene

Reference (11)：

• K. Kaneto, W. Y. Lim, W. Takashima, T. Endo, and M. Rikukawa: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000) L872.
• J. Nakamura, K. Murata, and K. Takahashi: Appl. Phys. Lett.87(2005)132105.
• E. von Hauff, J. Parisi, and V. Dyakonov: Thin Solid Films 511-512(2006)506.
• T. Yasuda and T. Tsutsui: Jpn. J. Appl. Phys.45(2006) L595.
• J.-M. Verilhac, G. LeBlevennec, D. Djurado, F. Rieutord, M. Chouiki, J.-P. Travers, and A. Pron: Synth. Met.156(2006)815.

Terms in the title (6)： 3-ヘキシルチオフェン ,  フラーレン誘導体 ,  2層膜 ,  もと ,  両極性 ,  電界効果トランジスタ