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J-GLOBAL ID：200902255437039631   Reference number：09A0524055

Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility ultrathin channel layer on Si substrate

Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術

Author (7)： HANDA HIROYUKI (東北大 電通研) ,  MIYAMOTO YU (東北大 電通研) ,  SAITO EIJI (東北大 電通研) ,  FUKIDOME HIROKAZU (東北大 電通研) ,  ITO TAKASHI (東北大 学際科学国際高等研究セ) ,  SUEMITSU MAKI (東北大 電通研) ,  SUEMITSU MAKI (JST-CREST)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 109  Issue： 16(ED2009 1-17)  Page： 39-43  Publication year： Apr. 16, 2009 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Graphite ,  annealing (heat treatment) ,  silicon carbide ,  *MBE growth ,  silane ,  *silanes ,  *graphene ,  *organic silane

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (22)：

• NOVOSELOV, K. S. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science. 2004, 306, 666-669
• MOROZOV, S. V. Giant Intrinsic Carrier Mobilities in Graphene and Its Bilayer. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 016602
• LIN, Yu-Ming. Operation of Graphene Transistors at Gigahertz Frequencies. Nano Lett. 2009, 9, 1, 422-426
• SON, Young-Woo. Half-metallic graphene nanoribbons. Nature. 2006, 444, 347-349
• NOVOSELOV, K. S. Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene. Nature. 2005, 438, 197-200

Terms in the title (4)： Si基板 ,  高移動度 ,  チャネル ,  層形成