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J-GLOBAL ID：200902255650275713   Reference number：05A0930921

Pressure Response of Aluminum Nitride Thin Film Prepared on Silicon Substrates

シリコン基板上に作製した配向性AlN薄膜の圧力応答性

Author (6)： OISHI YASUNOBU (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  NOMA HIROAKI (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  KISHI KAZUSHI (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  UENO NAOHIRO (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  AKIYAMA MORITO (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  KABAHARA TOSHIHIRO (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ)
Material： 日本セラミックス協会学術論文誌  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
Volume： 113  Issue： 1322  Page： 700-702  Publication year： Oct. 01, 2005 
JST Material Number： F0382A  ISSN： 0914-5400  CODEN： JCSJEW  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...
Semi thesaurus term： AlN

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JST classification (2)： Ceramic coating to nonmetallic materials  (YC02040K) ,  Measuring methods and instruments of force,work load,pressure,friction  (AD05050V)

Reference (11)：

• 1) Zakar, E., Polcawich, R., Dubey, M., Piekarski, B., McLane, G., Conrad, J., Piekarz, R., Wickenden, D., Champion, J., D'Amico, W., Hollis, M. S. L., McMullen, K. and Porter, D., Integrated Ferroelectrics, Vol. 41, pp. 1781-1788 (2001).
• 2) Nagata, K. and Harashima, E., Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, pp. 5008-5011 (1996).
• 3) Someno, Y. and Hirai, T., Materials Japan, Vol. 30, pp. 913-922 (1991) [in Japanese].
• 4) Turner, R. C., Fuierer, P. A., Newnham, R. E. and Shrout, T. R., Applied Acoustics, Vol. 41, pp. 299-324 (1994).
• 5) Guy, I. L., Muensit, S. and Goldys, E. M., Appl. Phys. Lett., Vol. 75, pp. 4133-4135 (1999).

Terms in the title (6)： シリコン基板 ,  作製 ,  配向性 ,  AlN ,  薄膜 ,  応答性