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J-GLOBAL ID：200902255720762480   Reference number：08A0128710

Electrochemically driven intrusion of silver particles into silicon under polarization

分極下シリコンへの銀粒子の電気化学的に推進された侵入

Author (4)： KAWAMURA Yosuke L. (Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011, JPN) ,  FUKAMI Kazuhiro (Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011, JPN) ,  SAKKA Tetsuo (Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011, JPN) ,  OGATA Yukio H. (Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011, JPN)
Material： Electrochemistry Communications  (Electrochem Commun)
Volume： 10  Issue： 2  Page： 346-349  Publication year： Feb. 2008 
JST Material Number： W1133A  ISSN： 1388-2481  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *porous silicon ,  *Silver ,  particle ,  *anodic polarization ,  P-type semiconductor ,  nanostructure ,  pore ,  doping ,  current density ,  porosity (property) ,  scanning electron microscope ,  electrolysis ,  Nanopores

JST classification (2)： Electrochemical reaction  (CB07050F) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： 分極 ,  シリコン ,  銀粒子 ,  電気化学 ,  推進 ,  侵入