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J-GLOBAL ID：200902255796562412   Reference number：03A0151339

Raman-spectroscopic determination of inhomogeneous stress in submicron silicon devices.

サブミクロン-シリコンデバイス中の不均一応力に関するRaman分光による決定

Author (7)： DIETRICH B (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  BUKALO V (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  FISCHER A (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  DOMBROWSKI K F (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  BUGIEL E (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  KUCK B (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  RICHTER H H (IHP, Frankfurt(Oder), DEU)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 82  Issue： 8  Page： 1176-1178  Publication year： Feb. 24, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： Raman microspectroscopy

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JST classification (2)： Mechanical properties of solids in general  (BL01021C) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Terms in the title (5)： サブ ,  シリコンデバイス ,  不均一 ,  応力 ,  Raman分光