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J-GLOBAL ID：200902257374266309   Reference number：04A0906970

Low voltage lead titanate/Si one-transistor ferroelectric memory with good device characteristics

良好なデバイス特性を持つ低電圧チタン酸鉛/Siの1トランジスタ強誘電体メモリ

Author (4)： SUN C L (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN S Y (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIAO C C (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIN A (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 85  Issue： 20  Page： 4726-4728  Publication year： Nov. 15, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,...
Semi thesaurus term： 強誘電体メモリ ,...

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JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： デバイス特性 ,  低電圧 ,  チタン酸鉛 ,  Si ,  トランジスタ ,  強誘電体メモリ