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J-GLOBAL ID：200902257702641937   Reference number：07A0771018

Suppression of Dynamic On-Resistance Increase and Gate Charge Measurements in High-Voltage GaN-HEMTs With Optimized Field-Plate Structure

最適化フィールドプレート構造を有する高電圧GaN-HEMTにおけるダイナミックオン抵抗増加の抑制とゲート電荷測定

Author (7)： SAITO Wataru (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NITTA Tomohiro (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KAKIUCHI Yorito (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SAITO Yasunobu (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TSUDA Kunio (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN) ,  OMURA Ichiro (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMAGUCHI Masakazu (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 54  Issue： 8  Page： 1825-1830  Publication year： Aug. 2007 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...
Semi thesaurus term： *GAN ,...

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JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Measuring methods and instruments of current,voltage,charge  (AD07020C)

Terms in the title (8)： 最適化 ,  フィールドプレート ,  高電圧 ,  GaN ,  HEMT ,  オン抵抗 ,  ゲート ,  電荷測定