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J-GLOBAL ID：200902257972194959   Reference number：03A0186099

Effects of As pressure and growth temperature on the growth of TlGaAs films by molecular-beam epitaxy.

分子線エピタクシーによるTlGaAs膜の成長に及ぼすAs圧と成長温度の効果

Author (3)： KAJIKAWA Y (Shimane Univ., Shimane, JPN) ,  KOBAYASHI N (Shimane Univ., Shimane, JPN) ,  NISHIMOTO N (Shimane Univ., Shimane, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 93  Issue： 5  Page： 2752-2757  Publication year： Mar. 01, 2003 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thallium compound ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  圧 ,  成長温度