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J-GLOBAL ID：200902258693940000   Reference number：06A0548730

Etch rate and surface morphology of polycrystalline β-silicon carbide using chlorine trifluoride gas

三ふっ化塩素ガスを使用した多結晶β-シリコンカーバイドのエッチング速度及び表面モルホロジー

Author (6)： HABUKA Hitoshi (Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN) ,  ODA Satoko (Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN) ,  FUKAI Yasushi (R and D Dep., Kanto Denka Kogyo Co., Ltd., 1-2-1 Marunouchi, Chiyoda, Tokyo 100-0005, JPN) ,  FUKAE Katsuya (Shibukawa Lab., Kanto Denka Kogyo Co., Ltd., 1497 Shibukawa, Gunma 377-8513, JPN) ,  TAKEUCHI Takashi (Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN) ,  AIHARA Masahiko (Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 514  Issue： 1-2  Page： 193-197  Publication year： Aug. 30, 2006 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： etch rate

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： ふっ化塩素 ,  多結晶 ,  シリコンカーバイド ,  エッチング速度 ,  表面モルホロジー