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J-GLOBAL ID：200902259136386544   Reference number：03A0506855

Fabrication of SiC Lateral Super Junction Diodes With Multiple Stacking p- and n-Layers

pとn層を多重スタックしたSiC横型超接合ダイオードの作製

Author (5)： MIURA M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA J (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 24  Issue： 5  Page： 321-323  Publication year： May. 2003 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *diode ,...
Semi thesaurus term： 超接合

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JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (6)： 多重 ,  スタック ,  SiC ,  横型 ,  接合ダイオード ,  作製