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J-GLOBAL ID：200902259439274064   Reference number：03A0617826

Ohmic Contact Formation for N-Type Diamond by Selective Doping

選択ドーピングによるN型ダイヤモンドへのOhm接触形成

Author (5)： TERAJI T (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  KATAGIRI M (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  KOIZUMI S (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  ITO T (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  KANDA H (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 8A  Page： L882-L884  Publication year： Aug. 01, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *plasma CVD ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (17)：

• 1) T. Teraji, S. Koizumi, S. Mita, A. Sawabe and H. Kanda: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L1096.
• 2) T. Teraji, S. Koizumi and H. Kanda: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1303.
• 3) S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Watanabe, H. Okushi and K. Kajimura: Diamond Relat. Mater. 9 (2000) 956.
• 4) H. Kiyota, E. Matsushima, K. Sato, H. Okushi, T. Ando, M. Kamo, Y. Sato and M. Iida: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3596.
• 5) T. Teraji, S. Koizumi and H. Kanda: Phys. Status Solidi (a) 181 (2000) 129.

Terms in the title (3)： ドーピング ,  ダイヤモンド ,  Ohm接触