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J-GLOBAL ID：200902260432375220   Reference number：04A0391783

MBE Growth of Novel GeC Thin Epilayers on Si(100) Substrates by Using a Vacuum Arc Plasma Gun as C Source

アークプラズマガンを用いた新規材料GeC薄膜の分子線エピタキシー成長

Author (3)： NUNOSHITA MASAHIRO (奈良先端科学技術大学院大) ,  OTA JUN (奈良先端科学技術大学院大) ,  OKINAKA MOTOKI (理研)
Material： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
Volume： 47  Issue： 4  Page： 315-323  Publication year： Apr. 20, 2004 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *vacuum arc ,...
Semi thesaurus term： plasma gun

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Reference (28)：

• DUBOWSKI, J. J. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1948
• IACONA, F. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3242
• SUEMASU, T. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1804
• OKINAKA, M. J. Crystal Growth. 2003, 249, 78
• KOLODZEY, J. J. Crystal Growth. 1995, 157, 386

Terms in the title (4)： アーク ,  プラズマガン ,  薄膜 ,  分子線エピタキシー成長