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J-GLOBAL ID：200902261397935493   Reference number：09A1003712

AlGaAs/GaAsコア・シェルナノワイヤ発光ダイオードの作製とSi基板上への集積化

Author (6)： TOMIOKA KATSUHIRO ,  TANAKA TOMOTAKA ,  MOTOHISA JUN'ICHI ,  HARA SHINJIRO ,  HIRUMA KENJI ,  FUKUI TAKASHI
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 70th  Issue： 3  Page： 1106  Publication year： Sep. 08, 2009 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *light emitting diode ,  *aluminum gallium arsenide ,  *gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  *nanowire ,  device structure ,  current-voltage characteristic ,  integration (accumulation) ,  Si wafer
Semi thesaurus term： metal organic vapor phase epitaxy ,  silicon substrate

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (9)： AlGaAs ,  GaAs ,  コア ,  シェル ,  ナノワイヤ ,  発光ダイオード ,  作製 ,  Si基板 ,  集積化