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J-GLOBAL ID：200902261774036288   Reference number：09A0106683

A 16 Gb 3-Bit Per Cell (X3) NAND Flash Memory on 56 nm Technology With 8 MB/s Write Rate

56nm技術における8MB/s書き込み率を有する16Gb 3ビット/セル(X3)NANDフラッシュメモリ

Author (40)： LI Yan (SanDisk Corp., CA, USA) ,  LEE Seungpil (SanDisk Corp., CA, USA) ,  FONG Yupin (SanDisk Corp., CA, USA) ,  PAN Feng (SanDisk Corp., CA, USA) ,  KUO Tien-Chien (SanDisk Corp., CA, USA) ,  PARK Jongmin (SanDisk Corp., CA, USA) ,  SAMADDAR Tapan (SanDisk Corp., CA, USA) ,  NGUYEN Hao Thai (SanDisk Corp., CA, USA) ,  MUI Man L. (SanDisk Corp., CA, USA) ,  HTOO Khin (SanDisk Corp., CA, USA) ,  KAMEI Teruhiko (SanDisk Corp., CA, USA) ,  HIGASHITANI Masaaki (SanDisk Corp., CA, USA) ,  YERO Emilio (SanDisk Corp., CA, USA) ,  KWON Gyuwan (SanDisk Corp., CA, USA) ,  KLIZA Phil (SanDisk Corp., CA, USA) ,  WAN Jun (SanDisk Corp., CA, USA) ,  KANEKO Tetsuya (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  MAEJIMA Hiroshi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  SHIGA Hitoshi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  HAMADA Makoto (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  FUJITA Norihiro (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  KANEBAKO Kazunori (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  TAM Eugene (SanDisk Corp., CA, USA) ,  KOH Anne (SanDisk Corp., CA, USA) ,  LU Iris (SanDisk Corp., CA, USA) ,  KUO Calvin Chia-Hong (SanDisk Corp., CA, USA) ,  PHAM Trung (SanDisk Corp., CA, USA) ,  HUYNH Jonathan (SanDisk Corp., CA, USA) ,  NGUYEN Qui (SanDisk Corp., CA, USA) ,  CHIBVONGODZE Hardwell (SanDisk Corp., CA, USA) ,  WATANABE Mitsuyuki (SanDisk Corp., CA, USA) ,  OOWADA Ken (SanDisk Corp., CA, USA) ,  SHAH Grishma (SanDisk Corp., CA, USA) ,  WOO Byungki (SanDisk Corp., CA, USA) ,  GAO Ray (SanDisk Corp., CA, USA) ,  CHAN James (SanDisk Corp., CA, USA) ,  LAN James (SanDisk Corp., CA, USA) ,  HONG Patrick (SanDisk Corp., CA, USA) ,  PENG Liping (SanDisk Corp., CA, USA) ,  DAS Debi (SanDisk Corp., CA, USA)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 44  Issue： 1  Page： 195-207  Publication year： Jan. 2009 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *NAND circuit ,  *flash memory ,  semiconductor process ,  computer architecture
Semi thesaurus term： ABLアーキテクチャ ,  CMOS process

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (4)： 書き込み ,  ビット ,  セル ,  NANDフラッシュメモリ