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J-GLOBAL ID：200902261849593510   Reference number：05A0154224

Silicon on Thin BOX: A New Paradigm of The CMOSFET for Low-Power and High-Performance Application Featuring Wide-Range Back-Bias Control

薄いBOX上のシリコン:広範囲のバックバイアス制御を特徴とする低電力と高性能用途に対するCMOSFETの新パラダイム

Author (9)： TSUCHIYA R (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HORIUCHI M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KIMURA S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAOKA M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAWAHARA T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MAEGAWA S (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  IPPOSHI T (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  OHJI Y (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  MATSUOKA H (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2004  Page： 631-634  Publication year： 2004 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *CMOS structure ,...
Semi thesaurus term： BOX ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (9)： BOX ,  シリコン ,  バック ,  バイアス ,  低電力 ,  高性能 ,  用途 ,  CMOSFET ,  パラダイム