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J-GLOBAL ID：200902262666384870   Reference number：05A0099708

Enhanced Output Power of Near-Ultraviolet InGaN-GaN LEDs Grown on Patterned Sapphire Substrates

パターン化サファイア基板上成長による近紫外InGaN-GaN LEDの出力パワー増強

Author (7)： WUU D S (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  WANG W K (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  SHIH W C (National Formosa Univ., Huwei, TWN) ,  HORNG R H (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LEE C E (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LIN W Y (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  FANG J S (National Formosa Univ., Huwei, TWN)
Material： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Transactions Photonics Technology Letters)
Volume： 17  Issue： 2  Page： 288-290  Publication year： Feb. 2005 
JST Material Number： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,...
Semi thesaurus term： near ultraviolet ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (9)： パターン化 ,  サファイア基板 ,  成長 ,  近紫外 ,  InGaN ,  GaN ,  LED ,  パワー ,  増強