Art

J-GLOBAL ID：200902263076208258   Reference number：05A0691317

Possibility of High-Performance CNT transistor-Fabrication Process and Electrical Characteristics-

高性能CNTトランジスタの可能性-作成プロセス及び電気特性-

Author (5)： OCHIAI Yukinori (NEC Corp, Tsukuba, JPN) ,  NIHEY Fumiyuki (NEC Corp, Tsukuba, JPN) ,  HIURA Hidefumi (NEC Corp, Tsukuba, JPN) ,  HONGO Hiroo (NEC Corp, Tsukuba, JPN) ,  ISHIDA Masahiko (NEC Corp, Tsukuba, JPN)
Material： フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerene, Nanotubes General Symposium)
Volume： 29th  Page： 5  Publication year： Jul. 25, 2005 
JST Material Number： L1472A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...
Semi thesaurus term： LANS法

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0691317&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L1472A") }}

JST classification (3)： Molecular compounds  (CE02000C) ,  Other catalysts  (CB06123Z) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 高性能 ,  CNT ,  トランジスタ ,  可能性 ,  プロセス ,  電気特性