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J-GLOBAL ID：200902263154213271   Reference number：08A1145427

Defect passivation and homogenization of amorphous oxide thin-film transistor by wet O₂ annealing

湿式O₂焼なましによる非晶質酸化物薄膜トランジスタの欠陥不動態化と均一化

Author (5)： NOMURA Kenji (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  KAMIYA Toshio (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  OHTA Hiromichi (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  HIRANO Masahiro (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  HOSONO Hideo (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 93  Issue： 19  Page： 192107  Publication year： Nov. 10, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： wet method ,  Oxygen ,  annealing (heat treatment) ,  amorphous state ,  *oxide ,  *thin film transistor ,  *lattice defect ,  passivation ,  homogenization ,  Water ,  room temperature ,  gallium compound ,  zinc compound ,  drying ,  carrier mobility ,  threshold ,  voltage ,  homogeneity ,  desorption ,  electrical conductivity ,  modification

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (8)： O2 ,  焼なまし ,  非晶質 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  欠陥 ,  不動態化 ,  均一化