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J-GLOBAL ID：200902263809685546   Reference number：03A0708810

Flicker Noise of GaN-Based Heterostructure Field-Effect Transistors With Si-Doped AlGaN Carrier Injection Layer

SiドープAlGaNキャリア注入層を備えたGaN系ヘテロ構造電界効果トランジスタのフリッカ雑音

Author (6)： SU Y-K (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  WEI S-C (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  WANG R-L (National Kaohsiung Inst. Marine Technol., Kaohsiung, TWN) ,  CHANG S-J (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  KO C-H (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  KUAN T-M (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 24  Issue： 10  Page： 622-624  Publication year： Oct. 2003 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *junction FET ,...
Semi thesaurus term： flicker noise ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： Si ,  ドープ ,  AlGaN ,  キャリア注入 ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  フリッカ雑音