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J-GLOBAL ID：200902263940768503   Reference number：08A0920733

Cathodoluminescence spectroscopy of ambipolar diffusion in (Al,Ga)As barriers and capture of nonequilibrium carriers in GaAs quantum wells

GaAs量子井戸における(Al,Ga)As障壁及び非平衡キャリアの捕捉における両極性拡散の陰極線ルミネセンス分光

Author (3)： FUJIWARA K. (Kyushu Inst. of Technol., Tobata, Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  JAHN U. (Paul-Drude-Institute for Solid State Electronics, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  GRAHN H. T. (Paul-Drude-Institute for Solid State Electronics, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 93  Issue： 10  Page： 103504  Publication year： Sep. 08, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well ,  *gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *barrier ,  *aluminum gallium arsenide ,  carrier ,  *ambipolar diffusion ,  *cathodoluminescence ,  emission spectrum ,  electron beam ,  carrier capture

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Diffusion in solids in general  (BL06021L) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (11)： GaAs ,  量子井戸 ,  Al ,  Ga ,  障壁 ,  非平衡 ,  キャリア ,  捕捉 ,  両極性拡散 ,  陰極線ルミネセンス ,  分光