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J-GLOBAL ID：200902265171318730   Reference number：04A0658209

Non-Contact Atomic Force Microscopy Observation on GaAs(110) Surface with Tip-Induced Relaxation

チップ誘導の緩和によるGaAs(110)表面上の非接触型原子間力顕微鏡法観測

Author (4)： UEHARA N (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HOSOI H (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Sapporo, JPN) ,  SUEOKA K (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MUKASA K (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 43  Issue： 7B  Page： 4676-4678  Publication year： Jul. 30, 2004 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Reference (17)：

• 1) Noncontact atomic force microscopy, ed. S. Morita, R. Wiesendanger and E. Meyer (Springer, Berlin, 2002).
• 2) F. J. Giessibl: Science 267 (1995) 68.
• 3) S. Kitamura and M. Iwatsuki: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L145.
• 4) H. Ueyama, M. Ohta, Y. Sugawara and S. Morita: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1086.
• 5) M. Bammerlin, R. Lüthi, E. Mayer, A. Baratoff, J. Lue, M. Guggisberg, C. Loppacher, C. Gerber and H. J. Güntherodt: Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 66 (1998) S293.

Terms in the title (5)： 誘導 ,  緩和 ,  GaAs ,  非接触型原子間力顕微鏡 ,  観測