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J-GLOBAL ID：200902265360678224   Reference number：06A0656301

Influence of disorder on the optical absorption in semiconductors: Application to epitaxially grown III-V compounds

半導体の光吸収に対する無秩序性の影響:エピタクシー成長III-V化合物への適用

Author (6)： DZIATKOWSKI K. (Warsaw Univ., Warsaw, POL) ,  CYWINSKI L. (Warsaw Univ., Warsaw, POL) ,  BARDYSZEWSKI W. (Warsaw Univ., Warsaw, POL) ,  TWARDOWSKI A. (Warsaw Univ., Warsaw, POL) ,  SAITO H. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ANDO K. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 73  Issue： 23  Page： 235340.1-235340.9  Publication year： Jun. 2006 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...

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JST classification (3)： Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B) ,  Visible and ultraviolet spectra of semiconductors  (BM08083Y) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (4)： 光吸収 ,  無秩序性 ,  エピタクシー成長 ,  V化合物